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 2016年6月24日，科技部高技術中心對外發布了，國家重點研發計劃“納米科技”重點專項的2016年度項目布局。太赫茲研究院參與申報的CMOS兼容的太赫茲源，探測和陣列成像項目，獲得科技部審批通過。課題名稱“THz成像儀關鍵工藝技術及測試技術”，課題編號2016YFA0202204。

 項目的參與單位有中國科學院上海技術物理研究所、中國科學院半導體研究所、天津大學、華訊方舟科技有限公司太赫茲研究院。項目團隊集中了國內太赫茲領域的優勢團隊（院士3人、杰青4人、長江1人、國家千人1人、IEEE Fellow 2人、百人計劃4人、青年千人2人），依托“半導體超晶格國家重點實驗室（吳南健團隊）”、“集成光電子學國家重點實驗室（陳弘達團隊）”、“紅外物理國家重點實驗室（戴寧團隊）”、“成像與感知微電子系統天津市重點實驗室（馬建國任主任）”和“深圳市太赫茲科技創新研究院（劉盛綱院士任院長）”開展項目研究。項目自2017年01月—2021年12月，共 60月，項目采用CMOS/BiCMOS 工藝來實現太赫茲源、探測和陣列成像，圍繞室溫CMOS 兼容工藝的太赫茲成像儀這樣一個重要應用目標，開展從基礎研究到應用研究全產業鏈條研發，通過一系列的創新使我國在室溫CMOS太赫茲成像儀領域進入國際一流行列。